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120G固態(tài)硬盤性價比最高推薦?固態(tài)硬盤價格多少錢?

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固態(tài)硬盤已經(jīng)成為了裝機必需配件之一。下面小編為大家介紹120G固態(tài)硬盤性價比最高推薦?固態(tài)硬盤價格多少錢?

固態(tài)硬盤已經(jīng)成為了裝機必需配件之一。下面小編為大家介紹120G固態(tài)硬盤性價比最高推薦?固態(tài)硬盤價格多少錢?

120G固態(tài)硬盤性價比最高推薦

英特爾520系列 120GB固態(tài)硬盤

特爾固態(tài)硬盤520可提供高達80,000次的4K隨機寫入IOPS(每秒輸入輸出操作)性能以及高達50,000次的4K隨機讀取IOPS性能,可顯著提高日常運作速度。分別高達每秒550MB和每秒520MB的順序讀取和順序?qū)懭胄阅芤诧@著加快和改善了用戶的工作效率。

英特爾固態(tài)硬盤520固態(tài)硬盤在接口上依然為標準的SATA接口設(shè)計,但升級支持6Gbps SATAIII標準,配合超過500MB/s的讀寫速度,幾乎能達到最大的峰值。

OCZ Agility3 120GB固態(tài)硬盤

OCZ針對主流玩家們推出的采用SandForce第2代主控方案產(chǎn)品——OCZ Agility 3系列固態(tài)硬盤,其和Vertex3一樣都采用了SandForce SF-2281主控芯片設(shè)計,同樣擁有較為不錯的傳輸性能,但是在價格上更貼近主流玩家用戶。

OCZ Agility 3系列固態(tài)硬盤有60GB/120GB/240GB三種容量供用戶選擇,外包裝上,OCZ Agility 3 SATA III(AGT3-25SAT3-60G)固態(tài)硬盤采用的也跟Vertex 3系列不太相同,以黑色和綠色為主。產(chǎn)品在接口上升級為了擁有更高帶寬的SATA 6Gbps接口。

OCZ Agility 3 SATA III(AGT3-25SAT3-60G)固態(tài)硬盤供電為5V 0.35A,通過了CE、FCC、RoHS等多項認證,產(chǎn)地是臺灣。固態(tài)硬盤由PCB板正反兩面共8顆閃存顆粒+1顆控制芯片組成,每面PCB還空有4個閃存顆粒位置,相信120GB版本內(nèi)部會裝滿閃存顆粒。采用的SandForce第2代主控方案SF-2000系列,具體型號為:SF-2281VB1-SDC,采用400針TFBGA封裝,尺寸為14×14毫米。

鎂光M4 128GB固態(tài)硬盤

鎂光M4系列固態(tài)硬盤128GB支持SATA 6Gbps接口,規(guī)格大小為2.5英寸,搭載25nm MLC NAND閃存芯片,平均故障間隔時間(MTBF)為120萬小時。

鎂光M4系列固態(tài)硬盤128GB固態(tài)硬盤的4KB隨機讀寫性能最高分別達40000 IOPS,讀取速度最高為415MB/s,寫入方面則可達到260MB/s,表現(xiàn)令人較為滿意。

鎂光M4系列固態(tài)硬盤128GB固態(tài)硬盤的讀取速度是傳統(tǒng)機械硬盤的4倍以上,此外它還具有架構(gòu)牢固、防震防摔、靜音、發(fā)熱量小等特點,非常適合做系統(tǒng)盤以及英特爾新一代固態(tài)硬盤緩存技術(shù)的緩存盤。

三星830系列128GB固態(tài)硬盤

三星830系列固態(tài)硬盤是三星第一款SATA3.0 6Gbps速率的固態(tài)硬盤。三星研發(fā)出獨創(chuàng)的3核MCX控制器,更擅長多任務(wù)處理,并能隨時保持穩(wěn)定性能。憑借ARM9控制器,三個CPU內(nèi)核可同時執(zhí)行 多個命令。例如一個用于讀取數(shù)據(jù),一個用于寫入數(shù)據(jù),一個用于優(yōu)化處理。

三星 MZ-7PC128D/CN采用三星的20納米級Toggle DDR NAND 閃存芯片,使數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移率高達133百萬字節(jié)/秒,超過常規(guī)單核NAND閃存芯片速度的三倍。 DRAM高速緩存擁有256MB內(nèi)存,即使是在存儲范圍增加的情況下,也可確保穩(wěn)定的隨機讀取功能。

總結(jié):

以上四款SSD固態(tài)硬盤均是市場上的熱銷產(chǎn)品,目前128GB SSD市場銷量逐步上升,隨著價格的下滑稍大容量產(chǎn)品也開始被用戶認可。

固態(tài)硬盤價格多少錢

這一年來固態(tài)硬盤與內(nèi)存的價格都在狂漲,過去已經(jīng)基本達到白菜價的內(nèi)存價格漲了一倍不止,而250GB固態(tài)硬盤價格也漲了兩百元左右的價位了,其原因之前筆者就已經(jīng)分析過,最直接最主要的因素就是因DRAM顆粒與NAND顆粒的需求緊缺,供求平衡被打破,上游的顆粒廠商抬高DRAM顆粒與NAND顆粒的價格,以致于之前處于價格低俗的內(nèi)存與SSD開始上漲。而這種情況從上個月開始有了一些變化,直線上調(diào)的價格出現(xiàn)了一些回調(diào)。

這一個月有不少關(guān)注硬件價格的朋友問我是不是出現(xiàn)了價格拐點,是否可以等待內(nèi)存硬盤的繼續(xù)下跌再出手。在這里筆者只能說,這一個月出現(xiàn)的價格拐點并不是閃存與內(nèi)存價格下跌的信號,筆者了解了一下閃存與內(nèi)存顆粒上游的價格,發(fā)現(xiàn)并沒有什么變化,市場上出現(xiàn)成品價格的波動,筆者認為應(yīng)該只是一季度本身的銷量淡季造成了自然下跌,商家為了促進購買成交量的行為。

進入2017年,從數(shù)據(jù)上看到,裝機市場由于硬件的集體漲價而出現(xiàn)了增長放緩,消費者集體觀望的情況,因此一季度的銷售淡季情況比較明顯,此次商家降價的原因應(yīng)該主要是為了保證資金不出現(xiàn)滯留的情況才做得應(yīng)對。

有分析師稱,預(yù)計今年上半年價格會偏平緩,而第二季將面臨價格調(diào)整,刺激終端消費者買氣回溫,等到下半年進入新品出貨旺季的時候可以讓銷售量上揚。

對于固態(tài)硬盤與內(nèi)存的真正價格拐點來臨時間,Gartner預(yù)測會是在2018年,價格將出現(xiàn)明顯回落,并于2019年重新陷入一個相對“冰點”。

至于閃存芯片價格出現(xiàn)下降的原因,Gartner分析認為中國起到了關(guān)鍵作用,中國一直在擴大半導(dǎo)體產(chǎn)能規(guī)模,而大量Made In China閃存芯片涌入市場之后,勢必會緩解國內(nèi)供不應(yīng)求的關(guān)系,價格下降也就成了必然。

另外三星電子位于韓國京畿道平澤市的新半導(dǎo)體工廠將從7月份開始運營。這是全球規(guī)模最大的芯片工廠,這座工廠將主要用來量產(chǎn)三星第四代3D NAND閃存芯片,垂直堆疊達到64層,月產(chǎn)能將達45萬塊晶圓,3D閃存占一半以上。相信當這家工廠達到最高產(chǎn)能的最高時候一定也會幫助緩解供求關(guān)系。